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  • 汽車電子用EPSON晶振晶體規(guī)格一覽表

    汽車電子用EPSON晶振晶體規(guī)格一覽表

    32.768kHz晶體諧振器 / kHz 范圍 型號(hào) 外部尺寸 [mm] 額定頻率范圍 [kHz] 頻率公差 (標(biāo)準(zhǔn)) [x10-6] @+25C 工作溫度 [C] 目錄 FC-13A 3.2x1.5x0.9 32.768kHz 20 /30 /50 -40~+125 253KB MC-30A 8.0x3.8x2.54 32.768kHz 20 /50 -40~+85 276KB 20kHz~120kHz 50

    選型與應(yīng)用

  • 愛普生無鉛晶振和符合ROHS指令的無鉛晶振端子規(guī)格

    EPSON提供符合歐盟RoHS 指令和無鉛級(jí)兩種標(biāo)準(zhǔn)的無鉛晶振晶體。請(qǐng)?jiān)谫?gòu)買時(shí)指明是否購(gòu)買無鉛產(chǎn)品。 下表列明了愛普生晶體振蕩器部分型號(hào)的無鉛化數(shù)據(jù)，完整信息點(diǎn)擊下載： 。 類別 型號(hào) 終端材料 終端電鍍 符合歐盟RoHS指令 無鉛 鉛的含有信息 (歐盟RoHS指令中...

    日期：2014-11-04 08:36:57 點(diǎn)擊：121

  • EPSON晶振包裝規(guī)格與最小包裝數(shù)量詳解

    點(diǎn)擊下載完整版： EPSON晶振包裝說明 （PDF格式；283kb） EPSON 目前提供SMD貼片封裝和DIP插件式和圓柱型兩種安裝方式的產(chǎn)品。其中DIP又分為圓柱體（主要是音叉晶振）以及耐焊接熱式長(zhǎng)引腳式。SMD晶振更適合 SMT高效率表面貼裝，尺寸也可以做的更小，因此無...

    日期：2014-11-04 08:34:32 點(diǎn)擊：173

  • 晶振和硅振蕩器（MEMS）哪個(gè)好？

    硅振蕩器與晶體振蕩器的主要區(qū)別是什么？ 晶振和硅振蕩器的最大區(qū)別是材質(zhì)不一樣。晶振使用的是晶體，晶體在溫度和其他一些特性方面非常穩(wěn)定，這是它的突出優(yōu)點(diǎn)。 壓電石英晶體已經(jīng)成為標(biāo)準(zhǔn)，一旦在其中通過一個(gè)小電流，就可以產(chǎn)生設(shè)定頻率的振蕩。該振蕩頻...

    日期：2014-11-04 08:32:55 點(diǎn)擊：121

  • 恒溫晶振（OCXO）的用途與主要參數(shù)

    恒溫晶體振蕩器簡(jiǎn)稱恒溫晶振，英文簡(jiǎn)稱為OCXO（Oven Controlled Crystal Oscillator），屬于有源晶振。其特點(diǎn)是高頻化、高頻率穩(wěn)定度和低相位噪聲，主要用于移動(dòng)通信基地站、國(guó)防、導(dǎo)航、頻率計(jì)數(shù)器、頻譜和網(wǎng)絡(luò)分析儀等設(shè)備。利用恒溫槽使晶體振蕩器中石英...

    日期：2014-11-04 08:32:22 點(diǎn)擊：55

  • 晶振電路中負(fù)載電容C1 C2電容的選擇

    只有在電路中使用晶體諧振器，才需要考慮負(fù)載電容問題。在選擇時(shí)需要依據(jù)以下三個(gè)基本原則： (1)：因?yàn)槊恳环N晶振都有各自的特性，所以最好按制造廠商所提供的數(shù)值選擇外部元器件。 (2)：在許可范圍內(nèi)，C1,C2值越低越好。C值偏大雖有利于振蕩器的穩(wěn)定，但將...

    日期：2014-11-04 08:32:07 點(diǎn)擊：125

  • 晶體晶振使用注意事項(xiàng)

    重要聲明：精工愛普生公司提醒您，在使用愛普生每種晶振晶體產(chǎn)品時(shí)，請(qǐng)?jiān)诰w晶振規(guī)格說明或產(chǎn)品目錄規(guī)定使用條件下使用。 EPSON通過嚴(yán)格的出廠前可靠性測(cè)試以提供高質(zhì)量高可靠性的產(chǎn)品，設(shè)計(jì)和生產(chǎn)都滿足它的原廠規(guī)格書規(guī)定的指標(biāo)。但是為了產(chǎn)品的品質(zhì)和可靠...

    日期：2014-11-04 08:31:58 點(diǎn)擊：173

  • 晶體晶振在設(shè)計(jì)振蕩回路時(shí)注意事項(xiàng)

    1. 驅(qū)動(dòng)能力 驅(qū)動(dòng)能力說明振蕩晶體單元所需電功率，其計(jì)算公式如下： 驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i 2 Re 其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流， Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R 1 （1+Co/CL） 2 。 晶體單元的等效電路 振蕩電路 2. 振蕩補(bǔ)償 除非在振蕩電路中提供足夠的...

    日期：2014-11-03 17:11:48 點(diǎn)擊：195

  • 晶振輸出波形與測(cè)試電路

    1時(shí)序表 2.測(cè)試條件 (1)電源電壓 超過 150s，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。 電源電壓阻抗低于電阻 2。 (2)其他 輸入電容低于 15 pF 5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。 鉛探頭應(yīng)盡可能短。 測(cè)量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1M。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)...

    日期：2014-11-03 17:10:25 點(diǎn)擊：125

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